芯片设计领跑半导体反弹，科创芯片设计ETF招商标的指数涨超1%，权重寒武纪涨逾5%

11月9日早盘，半导体产业链集体反弹，芯片设计端领涨。截至发文，科创芯片设计ETF招商（589390）标的指数（950162）涨超1%，盘中最高触及1826.22点。

权重股为主要拉动力量，前十大权重中，寒武纪涨5.78%、芯原股份涨4.48%、澜起科技涨2.46%、晶晨股份涨2.18%、佰维存储涨2.06%、海光信息涨1.92%。

今天芯片设计为何能领跑整条产业链？一个直接的解释是：前期跌得最多，近期反弹较少。

先看回撤深度。科创芯片设计指数自6月30日年内高点3446.81点下行，至11月3日收于1663.32点，区间最大回撤51.74%，跌幅高于同期科创50。而在近期科技反弹中（11月3日至6日），科创芯片设计指数由1663.32点升至1769.89点，涨幅6.41%，落后中证半导体指数逾10个百分点。也就是说产业链的修复已先行数日，设计端补涨需求较高。

消息面上，台积电正应英伟达要求，规划生产3D DRAM先进存储芯片，以在快速扩张的AI硬件供应链中获取更大份额；美股费城半导体指数11月6日收涨4.21%（前一交易日曾下跌12.25%），为A股半导体开盘提供了情绪修复的参照。

国内方面，招商证券判断，11月市场或在温和触底后迎来反弹，且前期跌幅越大、后续反弹幅度大概率越高；超跌反弹方向可关注前期跌幅最深、三季报业绩兑现度最高的品种，典型行业如半导体。申万宏源更为积极，认为调整延续后超跌反弹条件已进一步改善，反弹可能随时触发。

华泰证券指出，A股估值与情绪已接近历次市场调整的极值区间，绝对收益资金被动调仓压力进一步扩大的空间或相对有限；在中美科技博弈加深的预期下，半导体自主可控等方向或受益。方正证券亦将科技板块视为反弹中确定性较高的进攻方向，建议关注半导体国产替代、通信高端器件、机器人核心零部件。