三星电子提前一年投产全新HBM工厂，科创芯片ETF博时(588990)跟踪指数盘初涨超2%

截至2026年11月13日 09:56，科创芯片ETF博时(588990)跟踪指数上证科创板芯片指数(000685)强势上涨2.20%，成分股盛科通信上涨8.41%，安集科技上涨5.62%，寒武纪上涨5.56%，杰华特，摩尔线程等个股跟涨。

流动性方面，科创芯片ETF博时盘中换手7.13%，成交4033.00万元。拉长时间看，截至11月12日，科创芯片ETF博时近1年日均成交5900.32万元。

11月12日，三星电子在韩国忠清南道牙山温阳园区举行忠清圈“超级项目”动工仪式。三星电子会长李在镕公布规划，将温阳园区打造为下一代高带宽内存（HBM）生产核心基地，新工厂投产时间较原计划提前约一年，定于2028年6月正式投产。

此次动工的新产线为HBM后端先进封装设施，包含5条生产线，项目总投资达 46万亿韩元 （约合人民币2295亿元），其中厂房建设6万亿韩元、先进设备投资40万亿韩元。

财通证券表示，AI算力、数据中心和智能终端持续放量，正在推动全球半导体景气进入上行阶段，并直接带动晶圆厂资本开支水平与稼动率维持高位。在这一背景下，半导体材料因具备消耗和复购属性而成为产能落地后的终局受益品种。

更进一步，在先进逻辑、HBM、3DNAND等高复杂度工艺中，部分重要材料品类并非简单跟随晶圆片数增长，而是呈现单片用量上升、品类数增加、或价格抬升的复合通胀，因此在行业景气上行阶段，部分产业链环节呈现更强的增长弹性和业绩落地确定性。

科创芯片ETF博时(588990)紧密跟踪上证科创板芯片指数，上证科创板芯片指数从科创板上市公司中选取业务涉及半导体材料和设备、芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试相关的证券作为指数样本，以反映科创板代表性芯片产业上市公司证券的整体表现。

数据显示，截至2026年10月30日，上证科创板芯片指数(000685)前十大权重股分别为寒武纪、中芯国际、澜起科技、中微公司、海光信息、拓荆科技、源杰科技、华海清科、华虹宏力、中科飞测，前十大权重股合计占比61.25%。

科创芯片ETF博时(588990)，场外联接(博时上证科创板芯片ETF发起式联接A：022725；博时上证科创板芯片ETF发起式联接C：022726)。

（文中个股仅作示例，不构成实际投资建议。基金有风险，投资需谨慎。）以上产品风险等级为：中高（此为管理人评级，具体销售以各代销机构评级为准）风险提示：基金不同于银行储蓄和债券等固定收益预期的金融工具，不同类型的基金风险收益情况不同，投资人既可能分享基金投资所产生的收益，也可能承担基金投资所带来的损失。

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