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马斯克Terafab晶圆厂计划2032年追平三星DRAM产能,半导体ETF博时(159582)跟踪指数涨超1%

截至2026年11月10日 11:07,半导体ETF博时(159582)跟踪指数中证半导体产业指数(931865)强势上涨1.38%,成分股江丰电子上涨6.24%,矽电股份上涨4.62%,金海通上涨3.97%,芯源微,神工股份等个股跟涨。拉长时间看,截至2026年11月9日,半导体ETF博时今年以来累计上涨26.09%。

流动性方面,半导体ETF博时盘中换手6.96%,成交5008.02万元。拉长时间看,截至11月9日,半导体ETF博时近1周日均成交1.28亿元。

隔夜费城半导体指数大涨近7%收复万点关口,AMD、博通、美光等涨幅居前。

11月,闪存龙头闪迪大幅调涨NAND闪存合约价格,涨幅高达50%。值得注意的是,这是闪迪今年以来至少第三次涨价,其在4月宣布全系涨价10%之后,又在9月初针对全部渠道和消费类产品执行10%普涨,打响存储涨价“第一枪”,并引发了美光等存储龙头跟进涨价。

摩根大通指出,尽管市场担忧AI融资、电力瓶颈及投资回报,但DRAM和NAND供需仍然紧张,长期供货协议不断扩大覆盖范围,行业基本面有望保持强劲至2028年。未来六个月,存储企业盈利预测遭到下调的可能性较低。

此外,马斯克旗下半导体合资企业Terafab正将触角伸向全球存储芯片产能的核心地带。据了解,Terafab已向半导体设备供应商透露,计划于2032年实现月产100万片晶圆的产能目标,其中70万片用于存储芯片、30万片用于逻辑芯片。

这一目标的震撼之处在于其存储芯片规模:三星目前DRAM月产能约为65万至70万片晶圆,Terafab的存储芯片目标与之相当。对于一家尚处起步阶段的新进入者而言,能否在约六年内复制三星现有规模,将是对整个行业格局的重大考验。

中国银河证券认为,近期半导体设备板块回调幅度最大,现企稳修复。国内存储厂扩产将是拉动设备厂商下一轮出货的重要驱动因素,经前期调整后半导体设备板块估值已低,且海外AI叙事波动将凸显国产链确定性。

资金流入方面,半导体ETF博时最新资金净流入1705.58万元。拉长时间看,近21个交易日内有14日资金净流入,合计“吸金”6029.13万元,日均净流入达287.10万元。

半导体ETF博时(159582)紧密跟踪中证半导体产业指数,中证半导体产业指数从上市公司中,选取不超过40只业务涉及半导体材料、设备和应用等相关领域的上市公司证券作为指数样本,以反映半导体核心产业上市公司证券的整体表现。

数据显示,截至2026年10月30日,中证半导体产业指数(931865)前十大权重股分别为北方华创、中微公司、寒武纪、拓荆科技、海光信息、长川科技、华海清科、中科飞测、中芯国际、安集科技,前十大权重股合计占比80.28%。

(文中个股仅作示例,不构成实际投资建议。基金有风险,投资需谨慎。)以上产品风险等级为:中高(此为管理人评级,具体销售以各代销机构评级为准)风险提示:基金不同于银行储蓄和债券等固定收益预期的金融工具,不同类型的基金风险收益情况不同,投资人既可能分享基金投资所产生的收益,也可能承担基金投资所带来的损失。

基金的过往业绩并不预示其未来表现。投资者应了解基金的风险收益情况,结合自身投资目的、期限、投资经验及风险承受能力谨慎决策并自行承担风险,不应采信不符合法律法规要求的销售行为及违规宣传推介材料。

ETF基金在基金的投资运作过程中可能面临如下特有风险,包括标的指数波动的风险、基金投资组合回报与标的指数回报偏离的风险、标的指数变更的风险、基金份额二级市场交易价格折溢价的风险、流动性风险、投资人申购/赎回失败的风险、基金场内份额赎回对价的变现风险、成份股停牌的风险、成份股退市的风险等风险。

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