再涨50%，闪迪NAND年内第三次涨价！费城半导体涨超6%，科创芯片ETF汇添富(588750)指数高开一度涨超2%！机构：存储供不应求或延续至2028年

隔夜美股三大指数集体收涨，费城半导体指数涨6.85%，闪迪涨超6%，11月10日，科创芯片ETF汇添富（588750）标的指数早盘高开，一度涨超2%，当前涨超1%！

科创芯片ETF汇添富（588750）标的指数成分股多数冲高，澜起科技、源杰科技涨超3%，华虹宏力涨超2%，海光信息涨超1%，中芯国际、中微公司微涨，寒武纪微跌。

【科创芯片ETF汇添富（588750）标的指数前十大成分股】

截至9:51，成分股仅做展示使用，不构成投资建议。

据报道，闪存龙头闪迪（SanDisk）11月大幅调涨NAND闪存合约价格，涨幅高达50%。值得注意的是，这是闪迪今年以来至少第三次涨价，其在4月宣布全系涨价10%之后，又在9月初针对全部渠道和消费类产品执行10%普涨，打响存储涨价“第一枪”，并引发了美光等存储龙头跟进涨价。

此前业内对NAND闪存四季度合约价上涨已有预期，但远不及50%，例如TrendForce给出的平均涨幅预估为5%-10%。

摩根大通最新研报指出，尽管市场担忧AI融资、电力瓶颈及投资回报，但DRAM和NAND供需仍然紧张，长期供货协议不断扩大覆盖范围，行业基本面有望保持强劲至2028年。未来六个月，存储企业盈利预测遭到下调的可能性较低。

【存储供不应求延续，继续关注长协及股东回报】

中信证券指出，存储景气度：供不应求有望延续至2028年及以后，2027年DRAM/NAND bit增速预期落在low-to-mid 20%/high-teens to mid-20%。

根据各家存储厂商判断，美光预计CY2027-CY2028行业供需紧张程度将显著高于CY2026，海力士预计到2030年需求仍将大于供给，三星电子预计存储供给紧张延续到2028年，闪迪指出NBM pipeline需求已经超过到2030年底的供给，西部数据的头部7大客户需求可见度拉长至2030-2031年，希捷绝大部分数据中心近线存储供货已经锁定至CY2028，部分云厂商供货协议延续至CY2030。

长协：AI/数据中心需求驱动下游客户锁供，存储厂商继续推进长协签订（包括产能、定价机制、履约保障等）。就与此前长协签订情况比较而言，

1）长协签订数量继续提升，各厂商产能锁定比例更为清晰。

2）长协期限此前基本在3-5年，但客户积极洽谈续约、延期或追加协议，反映整体强劲的下游需求。

3）长协签订客户仍以数据中心CSP为主，但客户群体进一步拓展至移动、汽车、网络等其他领域。

4）按底价测算的RPO更为清晰，比如美光1500亿美元、闪迪889亿美元，同时客户财务承诺继续提升。

股东回报：除美光以外，其余存储厂商均已积极推进新一轮股东回报政策，建议关注后续在回购注销/分红等方面的加码。（来源于中信证券20261105《全球科技｜存储26Q3总结：供不应求延续，继续关注长协及股东回报》）

【存储带动半导体设备需求提升，国产设备厂商迎来黄金窗口】

AI基础设施持续扩张叠加HBM代际升级，或推动HBM、服务器DRAM及企业级SSD需求同步增长，存储供需偏紧有望延续，并带动存储制造、先进封装及测试设备需求提升。

国信证券指出，半导体设备行业当前的景气周期，主要围绕“AI需求、存储扩产、高端制程与先进封装、国产替代”四条主线展开。一是AI服务器与国产算力芯片加速发展，带动逻辑和存储芯片需求增长。

二是高端制程升级和CoWoS等先进封装扩产，进一步拉动刻蚀、薄膜沉积、量测检测、清洗、测试及封装等设备投入。三是不同芯片路线形成差异化需求：先进逻辑更依赖光刻和量测，3D NAND层数提升重点拉动刻蚀、薄膜沉积及CMP，DRAM微缩与HBM发展则进一步增加量测检测、深孔加工、晶圆减薄、先进封装和测试设备投入。

四是半导体设备国产化率也在持续提升，随着海外设备出口限制持续收紧，国内晶圆厂对供应链安全和设备自主可控的需求增强，这会为国产设备提供更多验证和批量导入机会，叠加本土厂商技术成熟度提升，国产设备厂商正迎来进口替代的黄金窗口。

（来源于国信证券20261023《半导体设备：AI需求爆发叠加进口替代，国产设备厂商的黄金窗口》）

AI基建超级周期仍可期待，存储、CPU、晶圆、先进封装等供需缺口全面超预期，$科创芯片ETF汇添富(588750)标的指数算力（含CPU/GPU/ASCI）+存储+先进制造含量高达87%！高度聚焦高纯度芯片赛道。20CM涨跌幅“大长腿”轻松把握高景气赛道成长机遇。场外投资者可关注联接基金（A：020628；C：020629），可7*24申赎。

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