我国前道光刻装备自主化阶段性成果，上海微电子新一代光刻机模型亮相

IT之家 11 月 8 日消息，第九届中国国际进口博览会于 11 月 5 日在国家会展中心（上海）开幕。本次展会上，上海微电子装备（集团）股份有限公司（简称 SMEE）携自主研发的新一代前道干式光刻机通用技术平台模型正式亮相，展示我国前道光刻装备自主化的阶段性成果。

据介绍，SMEE 成立于 2002 年，是国内唯一具备前道干式光刻机稳定量产交付能力的制造商，也是我国前道光刻装备自主供给体系的核心支撑主体。本次展出的模型采用透明剖视设计，直观呈现整机光学光路与内部机电系统的链路布局。

该平台为国产标准化前道光刻装备架构，适配 I-line、KrF 两类主流技术路线，整机核心的高精度物镜与照明系统、高速双工件台与掩模台、一体化自动物料传输系统、高精度对准调平传感系统均实现全链条自主可控，具备稳定的工艺适配能力与产线运行可靠性。

IT之家获悉，目前国产前道干式光刻机成像性能已与国际同类领先产品水平相当，套刻精度、生产效率紧密追赶国际标杆；多台设备已在国内头部逻辑、存储量产线长期稳定运行，累计支持产线流片超千万片，设备有效运行率超 92%，形成自主技术可控、国产替代落地、产业链安全可靠的核心优势，可全面支撑半导体、泛半导体产业发展需求。

延伸阅读公开资料显示，SMEE 全称为上海微电子装备（集团）股份有限公司，成立于 2002 年 3 月，位于上海，隶属上海电气集团，企业注册资本约 2.66 亿元人民币，定位“赋有国家使命的市场化公司”，自“十五”起先后承担了多个国家 IC 前道光刻机研制专项任务。

按半导体制造工序分类，光刻设备分为前道和后道两类，前道光刻机用于晶圆制造，后道则为封装光刻机，精度和价值远低于前道设备。文中提到的 I-line 与 KrF 均为深紫外（DUV）光源：I-line 波长为 365nm，KrF 波长为 248nm，两者主要服务成熟制程；

另有波长 193nm 的 ArF 干式与浸没式方案，其中浸没式可提供 DUV 类别中最高的分辨率和处理能力。双工件台是提升光刻机产能的关键技术。采用双工作台系统后，光刻机可在保持速度和加速度稳定的前提下实现两个工作台同时运作 —— 一个专注曝光作业，另一个同步进行曝光前的预对准准备，据测算可将生产效率提升约 35%。