继续领涨！台积电拟规划生产3D DRAM先进存储芯片，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数强势涨超2%

截至2026年11月9日 09:33，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨2.13%。科创芯片设计ETF国联安盘中换手0.93%，成交764.93万元。成分股力芯微上涨5.80%，复旦微电上涨4.72%，峰岹科技上涨4.43%，寒武纪，芯原股份等个股跟涨。

科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中，成立时间最早、同类流动性较好的产品。

消息面上，全球最大晶圆代工厂台积电正考虑进军先进存储芯片制造，以在快速扩张的AI硬件供应链中获取更大份额。知情人士称，台积电近期已应其最大客户英伟达的要求，着手规划生产一种名为3D DRAM的先进存储芯片 —— 该架构通过垂直堆叠存储单元来提升容量，被视为应对AI算力对高带宽、高密度内存需求的关键方向之一。

国联民生证券发布研报称，持续看好本轮存储超级周期，AI需求高景气、供给约束强化、长协锁定盈利、股东回报提升共同推动盈利中枢上移。需求端，AI训练向推理及Agentic AI加速演进，不仅持续拉动HBM需求，也显著提升服务器DRAM和企业级SSD配置需求，存储需求由单一HBM向更广泛的数据中心存储扩散；

同时，先进制程、封测及产能切换约束使供给扩张仍相对有限，DRAM和NAND价格在高基数下仍有望延续上涨，价格上涨持续性明显强于传统周期。AI正在推动存储行业由强周期向“高景气+高确定性+高股东回报”重估，当前仍处于超级周期盈利预期上修阶段，持续看好存储产业链。

风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

注：科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、同类流动性较好的产品。