空穴不来风？台积电真会为英伟达打造3D DRAM吗？

本文来自微信公众号： TechSugar ，作者：谈芯AI算力竞赛持续升温，存储瓶颈已经成为制约大模型训练、推理集群扩容的核心卡点。在此背景下，近日有一传闻引起业界普遍关注。据科技媒体《The Information》援引两名知情人士报道，台积电正考虑扩大业务版图，进军先进内存芯片制造，以在快速扩张的AI硬件供应链中获取更大份额。

报道称，台积电近期已应其最大客户英伟达的要求，开始规划生产一种名为“3D DRAM”的先进内存芯片。区别于当下主流HBM依靠TSV堆叠多颗DRAM裸片的方案，3D DRAM通过在晶圆上垂直堆叠存储单元，从底层架构上实现密度、带宽同步提升，被产业界普遍视作破解AI算力对高带宽、高密度内存渴求的下一代核心路线。

一旦落地，它将改变当前HBM主导AI存储堆栈的格局。消息同时透露，台积电目前尚未确定量产时间，也未最终决定产能来源。该媒体称台积电正在评估两条路径：一是兴建专用新厂，二是收购现有晶圆厂并改造为内存生产设施。

但无论哪一种选择，都意味着巨大的资本投入、漫长的工艺调试周期，也意味着台积电将走出深耕多年的逻辑代工舒适区。消息流出一天后，台积电迅速对此进行了否认，并强调公司将继续专注于逻辑芯片代工业务。

台积电一名发言人向Tom's Hardware表示：“请注意，台积电始终专注于核心业务，即专业集成电路代工。我们的使命是多年来持续成为全球逻辑集成电路产业值得信赖的技术与产能供应商。

”尽管台积电否认了相关报道，但The Information援引两名了解该计划的人士称，在最大客户英伟达提出要求后，台积电已经开始为3D DRAM制造业务制定相关计划。据称，这项工作由台积电副总裁徐国晋负责监督。

他负责公司的先进封装业务，此前曾担任美光科技台湾地区业务负责人。传闻一出，业界的反应也不一。中国台湾经济研究院总监刘佩真分析，随着HBM成本已占高端AI训练集群BOM的20%–25%，且韩系厂商供给紧绷、报价高昂，英伟达的确有强烈动机寻求非韩系的产能保障。

从产业逻辑看，台积电应要求规划3D DRAM“并非完全不可能”。香港聚芯资本管理合伙人陈慧明认为，英伟达真正希望台积电“更积极”的，或许是在3D封装层面将逻辑与存储的整合及频宽做到最大，而非纯粹制造DRAM单元。

台积电自身的路线图也指向2029年的“DRAM-on-logic”，目标是在低于1 pJ/bit能耗下实现约3倍于HBM5E的带宽，其潜在优势在于堆叠与键合，而非存储单元本身。韩国《首尔经济日报》则分析，若台积电成功整合GPU制造、存储生产与先进封装，将形成“一条龙”供应链，极大强化其在AI芯片供应链中的主导地位，对三星与SK海力士构成实质竞争压力。

长期以来，三星、SK海力士是HBM裸片的核心供应商，台积电是封装集成方，二者是紧密协作的伙伴；一旦台积电下场自研自产存储，伙伴关系会立刻转向竞争。内存大厂华邦电董事长焦佑钧则认为台积电进军3D DRAM领域不太现实。

据台媒报道，焦佑钧在接受采访时直言，“他个人评估台积电现阶段投入3D DRAM的可能性并不高。”他表示，就企业文化来说，台积电是一家追求卓越的公司，不会做半吊子。若台积电真的决定投入新领域，其企业文化向来是默默准备与研发，直到技术成熟、人才到位，且达到极高水平后才会对外公开。

而且，DRAM制造技术不可能凭空而来，需要长时间累积。因此，在技术尚未准备健全前消息就流出，并不符合台积电一贯的做事风格。焦佑钧还表示，产业合作关系才是最大关键。目前台积电与三星（Samsung）、SK海力士（SK Hynix）以及美光（Micron）等三大内存原厂皆保持相当紧密的合作关系。

若台积电自行跨足DRAM领域，等于与现有重要伙伴产生直接竞争关系，这将使产业合作变得更为复杂，也让该项传闻的不真实性增加。但焦佑钧最后也特别强调，上述观点完全基于个人对产业的观察与推测，自己并未掌握任何内部或内线消息，亦未曾询问台积电内部。

因此，整体来说，尽管市场对先进内存需求持续不断，但在技术发展与既有生态系合作的环境下，似乎台积电自行跨足3D DRAM制造的可能性并不高，而仅是停留在市场传言。而作为当事的另一方，英伟达到目前为止还未对此传闻进行回应。

从目前的信息来看，这是一个由英伟达推动、处于可行性评估阶段的远期供应链备选方案，不是已经拍板的量产计划；台积电最优解或许是和存储厂商合作做定制化逻辑-存储共集成，而非直接和三星、SK海力士、美光进行正面竞争。