三星电子HBM工厂提前一年投产，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数涨2%，半导体ETF国联安(512480)跟踪指数涨超2%

截至2026年11月13日 09:33，科创芯片设计ETF国联安(588780)跟踪指数上证科创板芯片设计主题指数(950162)强势上涨2.03%。科创芯片设计ETF国联安盘中换手1.19%，成交1070.17万元。成分股东芯股份上涨5.84%，杰华特上涨4.87%，寒武纪上涨4.50%，概伦电子，盛科通信等个股跟涨。

半导体ETF国联安(512480)跟踪指数中证全指半导体产品与设备指数(H30184)强势上涨2.04%。半导体ETF国联安盘中换手0.61%，成交1.07亿元。成分股东芯股份上涨5.84%，华虹宏力上涨5.53%，景嘉微上涨5.24%，杰华特，华大九天等个股跟涨。

科创芯片设计ETF国联安(588780)具备20%涨跌幅的弹性收益，跟踪指数成分股囊括50家科创板芯片龙头企业，芯片设计行业占比超九成，“含芯量”满满，瞄准半导体高景气度细分赛道，体现核心算力板块趋势。科创芯片设计ETF国联安(588780)是跟踪同指数的产品中，成立时间最早、同类流动性较好的产品。

半导体ETF国联安(512480)备受市场关注，是目前唯一跟踪中证全指半导体指数的ETF，一键布局中国半导体全产业链更均衡。场外联接(A类：007300；C类：007301)。

消息面上，为应对AI芯片的爆发式需求，三星电子将位于温阳的全新HBM工厂的投产时间较原计划提前约一年，定于2028年6月投产。这是三星集团推进的三大大型项目中首个动工的项目。三星这一动作并非孤立的企业扩产，而是全球AI算力产业链进入高强度资本开支周期的典型信号，将向半导体设备端传导增量需求。

中原证券指出，存储相关设备支出有望持续加速扩张。AI推理、上下文窗口扩展及智能体推动存储产品需求呈现爆发式增长态势，存储市场正经历一轮超级周期，存储相关设备支出预计将在2028年前显著扩张。

风险提示：以上所有信息仅作为参考，不构成投资建议，一切投资操作信息不能作为投资依据。投资有风险，入市需谨慎。

注：科创芯片设计ETF国联安为全市场跟踪上证科创板芯片设计主题指数的ETF中，成立时间最早、同类流动性较好的产品。