佳能发布 KrF 半导体光刻机 FPA-6400ES6a，宣称实现高生产率和业界高水平套刻精度

IT之家 11 月 11 日消息，11 月 10 日，佳能在日本东京宣布，将于 2026 年 12 月上旬发售面向存储和逻辑芯片的 KrF（IT之家注：氟化氪）扫描式半导体光刻机“FPA-6400ES6a”。

▲ KrF 扫描式半导体光刻机“FPA-6400ES6a”官方表示，通过新开发的超高加速度载台缩短驱动时间，这款 KrF 扫描式半导体光刻机新产品具备每小时 400 片晶圆的高产能；

同时新开发了即使在高速驱动时也能进行稳定高精度位置控制的震动抑制技术，以及降低设备内气流不均匀、使激光光路温度均一化的空调控制技术，从而实现业界高水平的 4.0nm 套刻精度。此外，在佳能独有的图像对准系统中，新增了可选配的新光源“Hi-ALS（High Alignment Light Source）”。

由于可根据材料和工艺任意选择合适的对准测量波长，因此能在各种半导体制造工艺中实现高精度对准，提高工艺稳定性。同时，设备可在曝光前测量各种工艺中产生的晶圆翘曲量，并通过调整载台上的吸气流量，提高对大翘曲晶圆的吸附能力，从而改善曝光时的翘曲。

由此，可对应的翘曲量扩大到 700μm，强化了对三维器件的堆叠及晶圆键合工艺中产生的晶圆翘曲的应对能力。▲ 晶圆翘曲改善的示意图（改善前与改善后）据介绍，佳能半导体光刻机“FPA-6400ES6a”搭载新开发的电力控制技术，可将在载台减速时产生的再生电力储存在电容器中，并在加速时加以再利用。

通过控制来自电源和电容器的电力供给，在确保超高加速度载台所需高响应性的同时，有效利用再生能源。该设备还配备了新开发的支持超高加速度载台的高效率电源，通过提升电源效率降低电力损耗，并简化冷却机构。通过这些技术，降低了每片晶圆曝光所需的耗电量，同时兼顾了环境保护。