毕查德·拉扎维
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CMOS工艺的进步使其在射频领域挑战传统III-V族化合物半导体
噪声系数、线性度和功耗是射频电路设计的核心权衡指标
片上电感和变压器的设计与建模是射频CMOS设计的难点
系统级封装（SiP）为射频前端模块集成提供灵活解决方案
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经典著作，讲解射频集成电路的分析与设计，内容涵盖射频器件模型、低噪声放大器、混频器、振荡器、锁相环和功率放大器等关键模块。
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